A Samsung az értékpapír-felügyeletnek hétfőn benyújtott közleményében bejelentette, hogy a cég vezetése a tervezett 7 milliárd dollárból már 2,3 milliárd dollárra megadta a beruházási engedélyt.

A beruházást a Samsung kínai leányvállalata, a Samsung China Semiconductor Co. hajtja végre a Pekingtől délnyugatra fekvő Senhszi (Shanxi) tartomány fővárosában Hszianban (Xi'an). A beruházás célja a NAND flashmemória áramkörök iránt közép- és hosszútávon növekvő kereslet kielégítése - írja a Samsung közleménye.

Kapcsolódó

A Samsung az idén júliusban már bejelentett egy 18,6 milliárd dolláros NAND memóriaáramkör-gyártó beruházást Dél-Koreában. A második negyedévben a Samsung adta a globális NAND flashmemória-piaci forgalom 38,3 százalékát az IHS piackutató vállalat kimutatása szerint.

A flashmemória törölhető és újraírható, a tárolt adatok megőrzéséhez tápfeszültséget nem igénylő félvezető áramköri egység. A NAND architektúrájú flashmemória nagy tárolási kapacitást tesz lehetővé, de a soros adatelérés miatt programok közvetlen futtatását nem. A NAND flashmemóriát háttértárolónak használják a számítástechnikában.